Продукція > ONSEMI > SBC847BWT1G
SBC847BWT1G

SBC847BWT1G ONSEMI


BC84x.pdf Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
на замовлення 8120 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
125+3.55 грн
152+2.72 грн
220+1.88 грн
257+1.61 грн
500+1.12 грн
1000+1.00 грн
3000+0.82 грн
6000+0.81 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SBC847BWT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - SBC847BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC847, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SBC847BWT1G за ціною від 0.98 грн до 12.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SBC847BWT1G SBC847BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc846awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847BWT1G SBC847BWT1G Виробник : ONSEMI BC84x.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8120 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
75+4.26 грн
91+3.39 грн
132+2.25 грн
154+1.93 грн
500+1.34 грн
1000+1.20 грн
3000+0.98 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847BWT1G SBC847BWT1G Виробник : onsemi bc846awt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A SC-88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+11.12 грн
54+6.18 грн
100+3.80 грн
500+2.58 грн
1000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847BWT1G SBC847BWT1G Виробник : onsemi bc846awt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SSP XSTR SC-70 NPN
на замовлення 23256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+11.90 грн
52+7.00 грн
100+3.72 грн
500+2.69 грн
1000+2.37 грн
3000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847BWT1G SBC847BWT1G Виробник : ONSEMI bc846awt1-d.pdf Description: ONSEMI - SBC847BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
72+12.33 грн
113+7.89 грн
183+4.87 грн
500+4.44 грн
1500+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847BWT1G SBC847BWT1G Виробник : ONSEMI bc846awt1-d.pdf Description: ONSEMI - SBC847BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847BWT1G SBC847BWT1G Виробник : onsemi bc846awt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A SC-88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.