Продукція > ONSEMI > SBC847BWT1G
SBC847BWT1G

SBC847BWT1G onsemi


bc846awt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SC-88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1030 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.20 грн
54+5.67 грн
100+3.48 грн
500+2.36 грн
1000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SBC847BWT1G onsemi

Description: ONSEMI - SBC847BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC847, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SBC847BWT1G за ціною від 1.67 грн до 11.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SBC847BWT1G SBC847BWT1G Виробник : onsemi bc846awt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SSP XSTR SC-70 NPN
на замовлення 23256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+10.49 грн
52+6.17 грн
100+3.28 грн
500+2.37 грн
1000+2.09 грн
3000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847BWT1G SBC847BWT1G Виробник : ONSEMI bc846awt1-d.pdf Description: ONSEMI - SBC847BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
72+11.31 грн
113+7.23 грн
183+4.47 грн
500+4.07 грн
1500+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847BWT1G SBC847BWT1G Виробник : ONSEMI bc846awt1-d.pdf Description: ONSEMI - SBC847BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.31 грн
113+7.23 грн
183+4.47 грн
500+4.07 грн
1500+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847BWT1G SBC847BWT1G Виробник : onsemi bc846awt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A SC-88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.