Продукція > ON SEMICONDUCTOR > SBC847BWT1G
SBC847BWT1G

SBC847BWT1G ON Semiconductor

bc846awt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SBC847BWT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - SBC847BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: BC847, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SBC847BWT1G за ціною від 3.45 грн до 32.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SBC847BWT1G SBC847BWT1G Виробник : onsemi bc846awt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.82 грн
6000+ 4.44 грн
9000+ 3.84 грн
30000+ 3.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SBC847BWT1G SBC847BWT1G Виробник : ONSEMI 1907697.pdf Description: ONSEMI - SBC847BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: BC847
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+5.88 грн
3000+ 4.47 грн
Мінімальне замовлення: 500
SBC847BWT1G SBC847BWT1G Виробник : ONSEMI BC84x.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.2W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+11.55 грн
100+ 5.47 грн
190+ 4.27 грн
520+ 4.04 грн
Мінімальне замовлення: 40
SBC847BWT1G SBC847BWT1G Виробник : ONSEMI BC84x.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.2W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 780 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+13.86 грн
100+ 6.81 грн
190+ 5.12 грн
520+ 4.84 грн
Мінімальне замовлення: 20
SBC847BWT1G SBC847BWT1G Виробник : onsemi bc846awt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.59 грн
16+ 18.06 грн
100+ 9.13 грн
500+ 6.98 грн
1000+ 5.18 грн
Мінімальне замовлення: 11
SBC847BWT1G SBC847BWT1G Виробник : onsemi BC846AWT1_D-2310458.pdf Bipolar Transistors - BJT SSP XSTR SC-70 NPN
на замовлення 19192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29.53 грн
15+ 21.31 грн
100+ 8.64 грн
1000+ 5.65 грн
3000+ 4.65 грн
9000+ 3.72 грн
24000+ 3.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
SBC847BWT1G SBC847BWT1G Виробник : ONSEMI 1907697.pdf Description: ONSEMI - SBC847BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: BC847
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+32.56 грн
32+ 23.47 грн
100+ 9.76 грн
500+ 5.88 грн
3000+ 4.47 грн
Мінімальне замовлення: 23