Продукція > ONSEMI > SBC847BWT1G
SBC847BWT1G

SBC847BWT1G onsemi


bc846awt1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SC-88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.08 грн
6000+1.78 грн
9000+1.67 грн
15000+1.44 грн
21000+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SBC847BWT1G onsemi

Description: ONSEMI - SBC847BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC847, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SBC847BWT1G за ціною від 2.30 грн до 30.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SBC847BWT1G SBC847BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc846awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847BWT1G SBC847BWT1G Виробник : onsemi bc846awt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A SC-88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 26450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+11.28 грн
54+6.27 грн
100+3.87 грн
500+2.63 грн
1000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847BWT1G SBC847BWT1G Виробник : ONSEMI bc846awt1-d.pdf Description: ONSEMI - SBC847BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
72+12.51 грн
113+8.00 грн
183+4.94 грн
500+4.50 грн
1500+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847BWT1G SBC847BWT1G Виробник : onsemi BC846AWT1_D-1387647.pdf Bipolar Transistors - BJT SSP XSTR SC-70 NPN
на замовлення 10360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+28.17 грн
22+17.16 грн
100+9.39 грн
500+6.98 грн
1000+6.02 грн
3000+5.13 грн
6000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847BWT1G SBC847BWT1G Виробник : ONSEMI bc846awt1-d.pdf Description: ONSEMI - SBC847BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847BWT1G Виробник : ONSEMI bc846awt1-d.pdf SBC847BWT1G NPN SMD transistors
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.06 грн
188+6.37 грн
515+6.02 грн
9000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.