Продукція > ONSEMI > SBC856ALT1G
SBC856ALT1G

SBC856ALT1G ONSEMI

2353764.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.98 грн
1000+5.73 грн
5000+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SBC856ALT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - SBC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC856, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції SBC856ALT1G за ціною від 4.18 грн до 26.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SBC856ALT1G SBC856ALT1G Виробник : ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 125...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+19.98 грн
35+11.78 грн
100+7.20 грн
500+5.26 грн
1000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856ALT1G SBC856ALT1G Виробник : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.62 грн
25+13.39 грн
100+8.39 грн
500+5.82 грн
1000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856ALT1G SBC856ALT1G Виробник : ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 125...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.98 грн
21+14.68 грн
100+8.65 грн
500+6.31 грн
1000+5.59 грн
3000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856ALT1G SBC856ALT1G Виробник : onsemi BC856ALT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR PNP 65V
на замовлення 8861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+24.85 грн
24+14.87 грн
100+8.13 грн
500+5.96 грн
1000+5.34 грн
3000+4.65 грн
6000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856ALT1G SBC856ALT1G Виробник : ONSEMI 2353764.pdf Description: ONSEMI - SBC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+26.67 грн
54+16.16 грн
100+10.17 грн
500+6.98 грн
1000+5.73 грн
5000+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856ALT1G SBC856ALT1G Виробник : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.