Продукція > ONSEMI > SBC856ALT1G
SBC856ALT1G

SBC856ALT1G ONSEMI

2353764.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.72 грн
1000+4.69 грн
5000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SBC856ALT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - SBC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC856, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції SBC856ALT1G за ціною від 4.10 грн до 24.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SBC856ALT1G SBC856ALT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDC85C057A8663BC0C7&compId=BC856_7_8.PDF?ci_sign=5e456257fb0e5eb3839ac0160fed3fc2af309c4d Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 125...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+20.56 грн
34+11.77 грн
100+7.16 грн
500+5.23 грн
1000+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856ALT1G SBC856ALT1G Виробник : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.30 грн
25+13.21 грн
100+8.27 грн
500+5.74 грн
1000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856ALT1G SBC856ALT1G Виробник : ONSEMI 2353764.pdf Description: ONSEMI - SBC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+23.82 грн
60+14.39 грн
100+9.08 грн
500+5.72 грн
1000+4.69 грн
5000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856ALT1G SBC856ALT1G Виробник : onsemi BC856ALT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR PNP 65V
на замовлення 8861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+24.50 грн
24+14.67 грн
100+8.02 грн
500+5.88 грн
1000+5.27 грн
3000+4.58 грн
6000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856ALT1G SBC856ALT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDC85C057A8663BC0C7&compId=BC856_7_8.PDF?ci_sign=5e456257fb0e5eb3839ac0160fed3fc2af309c4d Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 125...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.67 грн
21+14.67 грн
100+8.59 грн
500+6.27 грн
1000+5.55 грн
3000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856ALT1G SBC856ALT1G Виробник : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.