Продукція > ONSEMI > SBC856ALT1G
SBC856ALT1G

SBC856ALT1G ONSEMI

2353764.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 11500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.28 грн
1000+5.05 грн
5000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SBC856ALT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - SBC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC856, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції SBC856ALT1G за ціною від 3.30 грн до 27.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SBC856ALT1G SBC856ALT1G Виробник : onsemi BC856ALT1_D-2310425.pdf Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR PNP 65V
на замовлення 10381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.49 грн
25+13.84 грн
100+5.36 грн
1000+4.77 грн
3000+4.26 грн
9000+3.45 грн
24000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856ALT1G SBC856ALT1G Виробник : ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 125...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+22.23 грн
32+12.31 грн
100+7.70 грн
211+4.25 грн
580+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856ALT1G SBC856ALT1G Виробник : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.82 грн
23+13.68 грн
100+8.55 грн
500+5.93 грн
1000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856ALT1G SBC856ALT1G Виробник : ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 125...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.67 грн
19+15.34 грн
100+9.24 грн
211+5.10 грн
580+4.83 грн
6000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856ALT1G SBC856ALT1G Виробник : ONSEMI 2353764.pdf Description: ONSEMI - SBC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 11500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+27.50 грн
44+19.10 грн
108+7.62 грн
500+6.28 грн
1000+5.05 грн
5000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856ALT1G SBC856ALT1G Виробник : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.