Продукція > ONSEMI > SBC856ALT1G
SBC856ALT1G

SBC856ALT1G onsemi

bc856alt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SBC856ALT1G onsemi

Description: ONSEMI - SBC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Verlustleistung: 300mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC856, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SBC856ALT1G за ціною від 3.24 грн до 22.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SBC856ALT1G SBC856ALT1G ONSEMI 2353764.pdf Description: ONSEMI - SBC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.63 грн
500+5.91 грн
1000+4.85 грн
5000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856ALT1G SBC856ALT1G ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 125...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+21.01 грн
31+14.00 грн
100+8.07 грн
500+5.60 грн
1000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856ALT1G SBC856ALT1G onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.20 грн
24+12.75 грн
100+7.97 грн
500+5.53 грн
1000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856ALT1G SBC856ALT1G onsemi BC856ALT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR PNP 65V
на замовлення 4540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+22.61 грн
24+13.54 грн
100+7.40 грн
500+5.43 грн
1000+4.86 грн
3000+3.59 грн
6000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856ALT1G SBC856ALT1G ONSEMI 2353764.pdf Description: ONSEMI - SBC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+22.61 грн
60+13.73 грн
100+8.63 грн
500+5.91 грн
1000+4.85 грн
5000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856ALT1G 2353764.pdf
SBC856ALT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+8.63 грн
500+5.91 грн
1000+4.85 грн
5000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856ALT1G BC856_7_8.PDF
SBC856ALT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 125...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
22+21.01 грн
31+14.00 грн
100+8.07 грн
500+5.60 грн
1000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856ALT1G bc856alt1-d.pdf
SBC856ALT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+22.20 грн
24+12.75 грн
100+7.97 грн
500+5.53 грн
1000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856ALT1G BC856ALT1-D.PDF
SBC856ALT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR PNP 65V
на замовлення 4540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
15+22.61 грн
24+13.54 грн
100+7.40 грн
500+5.43 грн
1000+4.86 грн
3000+3.59 грн
6000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856ALT1G 2353764.pdf
SBC856ALT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
37+22.61 грн
60+13.73 грн
100+8.63 грн
500+5.91 грн
1000+4.85 грн
5000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.