Продукція > ONSEMI > SBC856BDW1T3G
SBC856BDW1T3G

SBC856BDW1T3G onsemi

bc856bdw1t1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.35 грн
31+10.42 грн
100+6.49 грн
500+4.47 грн
1000+3.94 грн
2000+3.50 грн
5000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SBC856BDW1T3G onsemi

Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 380mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SBC856BDW1T3G за ціною від 2.37 грн до 19.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SBC856BDW1T3G SBC856BDW1T3G Виробник : onsemi BC856BDW1T1_D-1802503.pdf Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR PNP 65V
на замовлення 32164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+19.16 грн
31+11.59 грн
100+6.34 грн
500+4.58 грн
1000+3.59 грн
5000+3.05 грн
10000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BDW1T3G SBC856BDW1T3G Виробник : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BDW1T3G SBC856BDW1T3G Виробник : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.2A 380mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BDW1T3G SBC856BDW1T3G Виробник : onsemi bc856bdw1t1-d.pdf Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BDW1T3G SBC856BDW1T3G Виробник : ONSEMI bc856bdw1t1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.