SBC856BLT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.59 грн |
| 6000+ | 2.23 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SBC856BLT1G onsemi
Description: ONSEMI - SBC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції SBC856BLT1G за ціною від 3.01 грн до 31.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SBC856BLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SBC856BLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SBC856BLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SBC856BLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SBC856BLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SBC856BLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SBC856BLT1G | onsemi |
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 300 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SBC856BLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SBC856BLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SBC856BLT1G | onsemi |
Digital Transistors SS GP XSTR SPCL TR |
на замовлення 3216 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
SBC856BLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SBC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 15198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
SBC856BLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SBC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 20769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| SBC856BLT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3037+ | 4.66 грн |
| 9000+ | 4.13 грн |
| 24000+ | 3.91 грн |
| SBC856BLT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.10 грн |
| 9000+ | 4.53 грн |
| 24000+ | 4.28 грн |
| SBC856BLT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.45 грн |
| 9000+ | 4.82 грн |
| 24000+ | 4.58 грн |
| SBC856BLT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.45 грн |
| 9000+ | 4.82 грн |
| 24000+ | 4.58 грн |
| SBC856BLT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1191+ | 11.88 грн |
| 1218+ | 11.62 грн |
| 1701+ | 8.32 грн |
| 2184+ | 6.25 грн |
| 3000+ | 4.26 грн |
| SBC856BLT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1112+ | 12.73 грн |
| 1667+ | 8.49 грн |
| 2200+ | 6.43 грн |
| 3000+ | 4.76 грн |
| SBC856BLT1G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 13.32 грн |
| 38+ | 8.08 грн |
| 100+ | 5.00 грн |
| 500+ | 3.42 грн |
| 1000+ | 3.01 грн |
| SBC856BLT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 33+ | 23.28 грн |
| 41+ | 18.52 грн |
| 100+ | 11.46 грн |
| 250+ | 10.37 грн |
| 500+ | 7.13 грн |
| 1000+ | 5.55 грн |
| 3000+ | 4.09 грн |
| SBC856BLT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 31.29 грн |
| 34+ | 22.69 грн |
| 100+ | 12.73 грн |
| 500+ | 8.18 грн |
| 1000+ | 5.74 грн |
| 3000+ | 4.23 грн |
| SBC856BLT1G |
|
Виробник: onsemi
Digital Transistors SS GP XSTR SPCL TR
Digital Transistors SS GP XSTR SPCL TR
на замовлення 3216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SBC856BLT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SBC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SBC856BLT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - SBC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)