Продукція > ONSEMI > SBC856BLT1G
SBC856BLT1G

SBC856BLT1G onsemi

bc856alt1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.70 грн
6000+2.32 грн
9000+2.18 грн
15000+1.89 грн
21000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SBC856BLT1G onsemi

Description: ONSEMI - SBC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SBC856BLT1G за ціною від 1.69 грн до 25.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SBC856BLT1G SBC856BLT1G Виробник : ONSEMI 1840529.pdf Description: ONSEMI - SBC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.94 грн
1500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT1G SBC856BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3037+4.02 грн
9000+3.56 грн
24000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 3037
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT1G SBC856BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.09 грн
9000+3.63 грн
24000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT1G SBC856BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.37 грн
9000+3.86 грн
24000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT1G SBC856BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.70 грн
9000+4.16 грн
24000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT1G SBC856BLT1G Виробник : ONSEMI 1840529.pdf Description: ONSEMI - SBC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
102+8.10 грн
132+6.27 грн
186+4.44 грн
500+2.94 грн
1500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 102
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT1G SBC856BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1191+10.25 грн
1218+10.02 грн
1701+7.17 грн
2184+5.39 грн
3000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 1191
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT1G SBC856BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1112+10.98 грн
1667+7.32 грн
2200+5.55 грн
3000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 1112
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT1G SBC856BLT1G Виробник : onsemi bc856alt1-d.pdf Digital Transistors SS GP XSTR SPCL TR
на замовлення 29668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+13.05 грн
47+7.28 грн
100+3.09 грн
1000+2.80 грн
3000+2.13 грн
9000+1.77 грн
24000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT1G SBC856BLT1G Виробник : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 29998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.53 грн
39+7.97 грн
100+4.92 грн
500+3.37 грн
1000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT1G SBC856BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+18.65 грн
41+14.83 грн
100+9.18 грн
250+8.31 грн
500+5.71 грн
1000+4.45 грн
3000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT1G SBC856BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+25.07 грн
34+18.17 грн
100+10.20 грн
500+6.55 грн
1000+4.60 грн
3000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT1G SBC856BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT1G SBC856BLT1G Виробник : ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT1G SBC856BLT1G Виробник : ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.