SBC856BLT1G ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - SBC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.06 грн |
| 1500+ | 2.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SBC856BLT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - SBC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SBC856BLT1G за ціною від 2.60 грн до 5376.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SBC856BLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SBC856BLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SBC856BLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SBC856BLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SBC856BLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SBC856BLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SBC856BLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SBC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 15198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SBC856BLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SBC856BLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SBC856BLT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 300 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SBC856BLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SBC856BLT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 300 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SBC856BLT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 300 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SBC856BLT1G | Виробник : onsemi |
Digital Transistors SS GP XSTR SPCL TR |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SBC856BLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry |
товару немає в наявності |