Продукція > ONSEMI > SBC856BLT1G
SBC856BLT1G

SBC856BLT1G onsemi

bc856alt1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.72 грн
6000+2.33 грн
9000+2.19 грн
15000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SBC856BLT1G onsemi

Description: ONSEMI - SBC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SBC856BLT1G за ціною від 1.91 грн до 29.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SBC856BLT1G SBC856BLT1G Виробник : ONSEMI 1840529.pdf Description: ONSEMI - SBC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.05 грн
1500+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT1G SBC856BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3037+4.08 грн
9000+3.61 грн
24000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 3037
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT1G SBC856BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.77 грн
9000+4.22 грн
24000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT1G SBC856BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.78 грн
9000+4.24 грн
24000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT1G SBC856BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.11 грн
9000+4.52 грн
24000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT1G SBC856BLT1G Виробник : onsemi BC856ALT1_D-1802086.pdf Digital Transistors SS GP XSTR SPCL TR
на замовлення 57986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+9.98 грн
56+6.32 грн
100+3.59 грн
500+3.05 грн
1000+2.75 грн
3000+2.14 грн
6000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT1G SBC856BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1191+10.40 грн
1218+10.17 грн
1701+7.28 грн
2184+5.47 грн
3000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 1191
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT1G SBC856BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1112+11.14 грн
1667+7.43 грн
2200+5.63 грн
3000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 1112
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT1G SBC856BLT1G Виробник : ONSEMI bc856alt1-d.pdf Description: ONSEMI - SBC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+13.11 грн
110+7.85 грн
169+5.07 грн
500+3.42 грн
1500+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT1G SBC856BLT1G Виробник : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.22 грн
40+8.03 грн
100+4.95 грн
500+3.39 грн
1000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT1G SBC856BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+21.83 грн
41+17.36 грн
100+10.74 грн
250+9.73 грн
500+6.68 грн
1000+5.21 грн
3000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT1G SBC856BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+29.34 грн
34+21.27 грн
100+11.94 грн
500+7.67 грн
1000+5.38 грн
3000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT1G SBC856BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBC856BLT1G SBC856BLT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDC85C057A8663BC0C7&compId=BC856_7_8.PDF?ci_sign=5e456257fb0e5eb3839ac0160fed3fc2af309c4d Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.