
SBC856BLT3G onsemi

Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
10000+ | 3.21 грн |
20000+ | 2.82 грн |
30000+ | 2.68 грн |
50000+ | 2.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SBC856BLT3G onsemi
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V, Power - Max: 300 mW, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SBC856BLT3G за ціною від 2.94 грн до 21.49 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SBC856BLT3G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 61479 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SBC856BLT3G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 300 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 104157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SBC856BLT3G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
SBC856BLT3G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry |
товару немає в наявності |