SBC857BDW1T1G ON Semiconductor
на замовлення 366000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SBC857BDW1T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - SBC857BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 220hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: 380mW, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Verlustleistung Pd: 380mW, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, DC-Kollektorstrom: 100mA, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції SBC857BDW1T1G за ціною від 1.38 грн до 15.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SBC857BDW1T1G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS 2PNP 45V 0.1A SC88/SC70-6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SBC857BDW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.38W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry |
на замовлення 760 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SBC857BDW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.38W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 760 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SBC857BDW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SBC857BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 220hFE Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 380mW usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Verlustleistung Pd: 380mW Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp DC-Kollektorstrom: 100mA Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 29488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SBC857BDW1T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS 2PNP 45V 0.1A SC88/SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 30573 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SBC857BDW1T1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR PNP 45 |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|