Продукція > ONSEMI > SBC857BWT1G
SBC857BWT1G

SBC857BWT1G ONSEMI

bc856bwt1-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBC857BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SBC857BWT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - SBC857BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SBC857BWT1G за ціною від 1.27 грн до 13.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SBC857BWT1G SBC857BWT1G Виробник : ONSEMI bc856bwt1-d.pdf Description: ONSEMI - SBC857BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
107+7.85 грн
182+4.59 грн
228+3.67 грн
500+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 107
В кошику  од. на суму  грн.
SBC857BWT1G SBC857BWT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED999D04A9CC7233820&compId=BC85xBWT1.pdf?ci_sign=6e0765da833922d878ef79c21486168c0e08b8cb Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+10.85 грн
54+7.29 грн
67+5.81 грн
155+2.51 грн
500+1.69 грн
591+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
SBC857BWT1G SBC857BWT1G Виробник : onsemi bc856bwt1-d.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.27 грн
48+6.51 грн
100+4.02 грн
500+2.74 грн
1000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
SBC857BWT1G SBC857BWT1G Виробник : onsemi bc856bwt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR PNP 45V
на замовлення 29800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+12.41 грн
52+6.67 грн
118+2.53 грн
1000+2.23 грн
3000+1.71 грн
24000+1.49 грн
45000+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SBC857BWT1G SBC857BWT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED999D04A9CC7233820&compId=BC85xBWT1.pdf?ci_sign=6e0765da833922d878ef79c21486168c0e08b8cb Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 863 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.02 грн
32+9.08 грн
40+6.98 грн
100+3.01 грн
500+2.03 грн
591+1.85 грн
1623+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SBC857BWT1G SBC857BWT1G Виробник : onsemi bc856bwt1-d.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.