SBCP53T1G

SBCP53T1G onsemi


bcp53t1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+13.67 грн
2000+11.91 грн
3000+11.27 грн
5000+9.90 грн
7000+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SBCP53T1G onsemi

Description: ONSEMI - SBCP53T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1.5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: BCP53, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції SBCP53T1G за ціною від 8.61 грн до 50.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SBCP53T1G SBCP53T1G Виробник : ONSEMI 2028660.pdf Description: ONSEMI - SBCP53T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP53
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 14191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.32 грн
500+11.73 грн
1000+10.18 грн
5000+8.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP53T1G SBCP53T1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED999CF6447155D9820&compId=BCP53_ser.pdf?ci_sign=8f342b934d9aeecf2d8169dc8963df0889f15590 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 40...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Application: automotive industry
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+32.63 грн
19+21.37 грн
50+17.48 грн
86+10.65 грн
235+10.10 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP53T1G SBCP53T1G Виробник : ONSEMI 2028660.pdf Description: ONSEMI - SBCP53T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP53
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 14191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+33.47 грн
39+22.01 грн
100+16.32 грн
500+11.73 грн
1000+10.18 грн
5000+8.61 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP53T1G SBCP53T1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED999CF6447155D9820&compId=BCP53_ser.pdf?ci_sign=8f342b934d9aeecf2d8169dc8963df0889f15590 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 40...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 833 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.16 грн
11+26.63 грн
50+20.98 грн
86+12.77 грн
235+12.12 грн
2000+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP53T1G SBCP53T1G Виробник : onsemi bcp53t1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR PNP 80V
на замовлення 5631 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.95 грн
12+30.20 грн
100+17.08 грн
500+13.50 грн
1000+12.31 грн
2000+10.07 грн
10000+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP53T1G SBCP53T1G Виробник : onsemi bcp53t1-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.03 грн
11+29.99 грн
100+19.28 грн
500+13.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.