Продукція > ONSEMI > SBCP56-10T1G
SBCP56-10T1G

SBCP56-10T1G onsemi

bcp56t1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1975+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 1975
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SBCP56-10T1G onsemi

Description: ONSEMI - SBCP56-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: BCP56, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції SBCP56-10T1G за ціною від 7.73 грн до 48.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SBCP56-10T1G SBCP56-10T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SBCP56-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.80 грн
500+14.11 грн
1000+12.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56-10T1G SBCP56-10T1G Виробник : ON Semiconductor bcp56t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+30.05 грн
25+24.39 грн
100+12.40 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56-10T1G SBCP56-10T1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED999CF4B32505C3820&compId=BCP56_ser.pdf?ci_sign=d85bc22652e5b082e5bd197e542106c378022550 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 63...160
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
Application: automotive industry
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+40.35 грн
19+21.52 грн
86+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56-10T1G SBCP56-10T1G Виробник : onsemi BCP56T1_D-1802569.pdf Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 80V
на замовлення 3106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+43.39 грн
14+25.17 грн
100+15.23 грн
1000+12.17 грн
2000+9.41 грн
10000+8.19 грн
25000+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56-10T1G SBCP56-10T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SBCP56-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+44.21 грн
33+26.10 грн
100+15.80 грн
500+14.11 грн
1000+12.44 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56-10T1G SBCP56-10T1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED999CF4B32505C3820&compId=BCP56_ser.pdf?ci_sign=d85bc22652e5b082e5bd197e542106c378022550 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 63...160
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.42 грн
12+26.82 грн
86+13.11 грн
236+12.44 грн
2000+11.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56-10T1G SBCP56-10T1G Виробник : ON Semiconductor bcp56t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56-10T1G SBCP56-10T1G Виробник : onsemi bcp56t1-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56-10T1G SBCP56-10T1G Виробник : ON Semiconductor bcp56t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56-10T1G SBCP56-10T1G Виробник : ON Semiconductor 1143802747100619bcp56t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56-10T1G SBCP56-10T1G Виробник : ON Semiconductor bcp56t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56-10T1G SBCP56-10T1G Виробник : ON Semiconductor bcp56t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56-10T1G SBCP56-10T1G Виробник : onsemi bcp56t1-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.