Продукція > ONSEMI > SBCP56-10T1G
SBCP56-10T1G

SBCP56-10T1G onsemi

bcp56t1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+11.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SBCP56-10T1G onsemi

Description: ONSEMI - SBCP56-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 1.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: BCP56, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SBCP56-10T1G за ціною від 10.50 грн до 57.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SBCP56-10T1G SBCP56-10T1G ONSEMI ONSM-S-A0013178767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SBCP56-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.31 грн
500+11.61 грн
1000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56-10T1G SBCP56-10T1G ONSEMI ONSM-S-A0013178767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SBCP56-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+25.49 грн
49+16.94 грн
100+14.31 грн
500+11.61 грн
1000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56-10T1G SBCP56-10T1G ONSEMI BCP56_ser.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 63...160
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
Application: automotive industry
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.89 грн
18+24.94 грн
20+21.72 грн
25+17.82 грн
100+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56-10T1G SBCP56-10T1G onsemi bcp56t1-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.99 грн
12+27.49 грн
100+17.61 грн
500+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56-10T1G SBCP56-10T1G onsemi bcp56t1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 80V
на замовлення 3057 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.97 грн
10+35.10 грн
100+19.66 грн
500+14.87 грн
1000+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56-10T1G ONSM-S-A0013178767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SBCP56-10T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBCP56-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+14.31 грн
500+11.61 грн
1000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56-10T1G ONSM-S-A0013178767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SBCP56-10T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBCP56-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
33+25.49 грн
49+16.94 грн
100+14.31 грн
500+11.61 грн
1000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56-10T1G BCP56_ser.pdf
SBCP56-10T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 63...160
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
Application: automotive industry
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
14+32.89 грн
18+24.94 грн
20+21.72 грн
25+17.82 грн
100+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56-10T1G bcp56t1-d.pdf
SBCP56-10T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+45.99 грн
12+27.49 грн
100+17.61 грн
500+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56-10T1G bcp56t1-d.pdf
SBCP56-10T1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 80V
на замовлення 3057 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+57.97 грн
10+35.10 грн
100+19.66 грн
500+14.87 грн
1000+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.