SBCP56-16T1G ON Semiconductor
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 9.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SBCP56-16T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - SBCP56-16T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: BCP56, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SBCP56-16T1G за ціною від 10.28 грн до 55.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SBCP56-16T1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SBCP56-16T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SBCP56-16T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SBCP56-16T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SBCP56-16T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP56 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SBCP56-16T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SBCP56-16T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SBCP56-16T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP56 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SBCP56-16T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
SBCP56-16T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
SBCP56-16T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SBCP56-16T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
SBCP56-16T1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SBN SSP SOT223 NPN |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
SBCP56-16T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 1.5W Case: SOT223-4; TO261-4 Current gain: 100...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 130MHz Application: automotive industry |
товару немає в наявності |