Продукція > ONSEMI > SBCP56T1G
SBCP56T1G

SBCP56T1G onsemi

bcp56t1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+14.18 грн
2000+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SBCP56T1G onsemi

Description: ONSEMI - SBCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: BCP56, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції SBCP56T1G за ціною від 10.19 грн до 61.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SBCP56T1G SBCP56T1G Виробник : ON Semiconductor bcp56t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
51+14.23 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56T1G SBCP56T1G Виробник : ONSEMI bcp56t1-d.pdf Description: ONSEMI - SBCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.14 грн
200+22.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56T1G SBCP56T1G Виробник : ON Semiconductor bcp56t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+36.51 грн
25+29.48 грн
100+19.32 грн
250+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56T1G SBCP56T1G Виробник : onsemi bcp56t1-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.07 грн
11+31.09 грн
100+20.00 грн
500+14.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56T1G SBCP56T1G Виробник : onsemi BCP56T1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 80V
на замовлення 3640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+57.19 грн
11+34.88 грн
100+19.50 грн
500+14.84 грн
1000+13.24 грн
2000+11.31 грн
5000+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56T1G SBCP56T1G Виробник : ONSEMI bcp56t1-d.pdf Description: ONSEMI - SBCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+61.20 грн
24+37.80 грн
50+31.14 грн
200+22.65 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56T1G SBCP56T1G Виробник : ON Semiconductor bcp56t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56T1G SBCP56T1G Виробник : ON Semiconductor 1143802747100619bcp56t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56T1G SBCP56T1G Виробник : ON Semiconductor bcp56t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.