Продукція > ON SEMICONDUCTOR > SBCP56T1G
SBCP56T1G

SBCP56T1G ON Semiconductor

bcp56t1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
51+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SBCP56T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - SBCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 1.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: BCP56, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SBCP56T1G за ціною від 16.20 грн до 50.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SBCP56T1G SBCP56T1G ON Semiconductor bcp56t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+37.69 грн
25+30.44 грн
100+19.94 грн
250+16.20 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56T1G SBCP56T1G onsemi bcp56t1-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.80 грн
10+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56T1G SBCP56T1G ONSEMI bcp56t1-d.pdf Description: ONSEMI - SBCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56T1G SBCP56T1G onsemi bcp56t1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 80V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56T1G SBCP56T1G ONSEMI bcp56t1-d.pdf Description: ONSEMI - SBCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56T1G SBCP56T1G ON Semiconductor bcp56t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56T1G bcp56t1-d.pdf
SBCP56T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+37.69 грн
25+30.44 грн
100+19.94 грн
250+16.20 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56T1G bcp56t1-d.pdf
SBCP56T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+50.80 грн
10+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56T1G bcp56t1-d.pdf
SBCP56T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56T1G bcp56t1-d.pdf
SBCP56T1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 80V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56T1G bcp56t1-d.pdf
SBCP56T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56T1G bcp56t1-d.pdf
SBCP56T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.