SBCW30LT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 417000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5453+ | 4.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SBCW30LT1G onsemi
Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 300 mW, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SBCW30LT1G за ціною від 3.82 грн до 29.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SBCW30LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 300 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SBCW30LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 300 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SBCW30LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SILICON TRANSISTOR PLAST |
на замовлення 4445 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SBCW30LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SBCW30LT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 436000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SBCW30LT1G | Виробник : ONSEMI |
SBCW30LT1G PNP SMD transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
SBCW30LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |