Продукція > ONSEMI > SBCW33LT1G
SBCW33LT1G

SBCW33LT1G onsemi

bcw33lt1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 222000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.19 грн
6000+4.51 грн
9000+4.26 грн
15000+3.73 грн
21000+3.58 грн
30000+3.43 грн
75000+3.04 грн
150000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SBCW33LT1G onsemi

Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 300 mW, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SBCW33LT1G за ціною від 4.28 грн до 26.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SBCW33LT1G SBCW33LT1G Виробник : onsemi bcw33lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 222000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.78 грн
22+14.48 грн
100+9.08 грн
500+6.31 грн
1000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SBCW33LT1G SBCW33LT1G Виробник : onsemi BCW33LT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT SILICON TRANSISTOR PLAST
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+26.82 грн
22+15.98 грн
100+8.78 грн
500+6.49 грн
1000+5.57 грн
3000+4.81 грн
6000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SBCW33LT1G Виробник : ONSEMI ONSMS21164-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - SBCW33LT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 423000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6887+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 6887
В кошику  од. на суму  грн.
SBCW33LT1G SBCW33LT1G Виробник : ON Semiconductor bcw33lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBCW33LT1G Виробник : ONSEMI bcw33lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Collector-emitter voltage: 32V
Current gain: 420...800
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.