SBCW66GLT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 25.84 грн |
| 20+ | 15.61 грн |
| 100+ | 9.83 грн |
| 500+ | 6.86 грн |
| 1000+ | 6.09 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
13 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SBCW66GLT1G onsemi
Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 300 mW, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SBCW66GLT1G за ціною від 5.27 грн до 37.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SBCW66GLT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 45V |
на замовлення 3 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SBCW66GLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SBCW66GLT1G - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 876000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5952 шт В кошику од. на суму грн. |
| SBCW66GLT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 45V
Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 45V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 37.24 грн |
| 17+ | 18.36 грн |
| 100+ | 10.10 грн |
| 500+ | 7.50 грн |
| 1000+ | 6.61 грн |
| 3000+ | 5.27 грн |
| SBCW66GLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBCW66GLT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - SBCW66GLT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 876000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)



