Продукція > ONSEMI > SBCW66GLT1G
SBCW66GLT1G

SBCW66GLT1G onsemi

bcw66glt1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.22 грн
6000+5.42 грн
9000+5.12 грн
15000+4.50 грн
21000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SBCW66GLT1G onsemi

Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 300 mW, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SBCW66GLT1G за ціною від 4.18 грн до 30.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SBCW66GLT1G SBCW66GLT1G Виробник : onsemi bcw66glt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 26906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.58 грн
18+17.20 грн
100+10.79 грн
500+7.53 грн
1000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SBCW66GLT1G SBCW66GLT1G Виробник : onsemi bcw66glt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 45V
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.14 грн
19+18.31 грн
100+6.68 грн
1000+6.02 грн
3000+4.70 грн
9000+4.40 грн
24000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SBCW66GLT1G Виробник : ONSEMI BCW66X_SER.pdf Description: ONSEMI - SBCW66GLT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 876000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5952+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 5952
В кошику  од. на суму  грн.
SBCW66GLT1G Виробник : ONSEMI bcw66glt1-d.pdf SBCW66GLT1G NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.