SCH1330-TL-H onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A 6SCH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-SCH
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 241mOhm @ 750mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Bulk
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2664+ | 8.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCH1330-TL-H onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A 6SCH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 241mOhm @ 750mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1mA, Supplier Device Package: 6-SCH, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SCH1330-TL-H
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SCH1330-TL-H | ON Semiconductor |
|
на замовлення 4350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SCH1330-TL-H |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.