Продукція > ONSEMI > SCH1335-TL-H
SCH1335-TL-H

SCH1335-TL-H onsemi


Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 12V 2.5A 6SCH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 6-SCH
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Bulk
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2420+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 2420
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCH1335-TL-H onsemi

Description: MOSFET P-CH 12V 2.5A 6SCH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), Supplier Device Package: 6-SCH, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 6 V.

Інші пропозиції SCH1335-TL-H

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SCH1335-TL-H ON Semiconductor
на замовлення 9700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCH1335-TL-H
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 9700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.