Продукція > SANYO > SCH1337-TL-H
SCH1337-TL-H

SCH1337-TL-H Sanyo

ONSMS36256-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Sanyo
Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Supplier Device Package: 6-SCH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 172 pF @ 10 V
на замовлення 715000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1652+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 1652 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCH1337-TL-H Sanyo

Description: ONSEMI - SCH1337-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.115 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції SCH1337-TL-H за ціною від 12.34 грн до 12.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCH1337-TL-H SCH1337-TL-H onsemi SCH1337.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2A 6SCH
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Supplier Device Package: 6-SCH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 172 pF @ 10 V
на замовлення 675000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1652+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 1652 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCH1337-TL-H SCH1337-TL-H onsemi ONSMS36256-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw SCH1337.pdf MOSFETs SWITCHING DEVICE
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCH1337-TL-H SCH1337-TL-H ONSEMI ONSMS36256-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw SCH1337.pdf Description: ONSEMI - SCH1337-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.115 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 715000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCH1337-TL-H ON Semiconductor ONSMS36256-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw SCH1337.pdf
на замовлення 9725 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCH1337-TL-H SCH1337.pdf
SCH1337-TL-H
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 2A 6SCH
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Supplier Device Package: 6-SCH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 172 pF @ 10 V
на замовлення 675000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1652+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 1652 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCH1337-TL-H ONSMS36256-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw SCH1337.pdf
SCH1337-TL-H
Виробник: onsemi
MOSFETs SWITCHING DEVICE
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCH1337-TL-H ONSMS36256-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw SCH1337.pdf
SCH1337-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SCH1337-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.115 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 715000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCH1337-TL-H ONSMS36256-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw SCH1337.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 9725 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.