Продукція > ONSEMI > SCH1433-TL-H

SCH1433-TL-H onsemi

Name: SCH1433-TL-H
Brand: onsemi
SKU: 12340346-3
Price: 20092.8 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A 6SCH
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Supplier Device Package: 6-SCH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 10 V

на замовлення 594000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1820+	11.04 грн

Мінімальне замовлення: 1820

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SCH1433-TL-H onsemi

Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A 6SCH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 1.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), Supplier Device Package: 6-SCH, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SCH1433-TL-H

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SCH1433-TL-H	Виробник : ON Semiconductor	MOSFET POWER MOSFET	на замовлення 4850 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SCH1433-TL-H	Виробник : ON Semiconductor		на замовлення 11992 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SCH1433-TL-H	Виробник : onsemi	Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A 6SCH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Supplier Device Package: 6-SCH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 10 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.