SCH2080KEC

SCH2080KEC ROHM Semiconductor


sch2080ke-e-846740.pdf Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET SiC N-Ch MOSFET w/ SBD 1200V
на замовлення 293 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCH2080KEC ROHM Semiconductor

Description: SICFET N-CH 1200V 40A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 10A, 18V, Power Dissipation (Max): 262W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4.4mA, Supplier Device Package: TO-247, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 800 V.

Інші пропозиції SCH2080KEC

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SCH2080KEC SCH2080KEC Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=SCH2080KE&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SICFET N-CH 1200V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 262W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.