
SCH2825-TL-E onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 1.6A 6SCH
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 800mA, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Supplier Device Package: 6-SCH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 10 V
на замовлення 620454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2219+ | 10.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCH2825-TL-E onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 1.6A 6SCH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 800mA, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 600mW (Ta), Supplier Device Package: 6-SCH, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SCH2825-TL-E за ціною від 18.73 грн до 18.73 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SCH2825-TL-E | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 622673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
SCH2825-TL-E | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 800mA, 10V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 600mW (Ta) Supplier Device Package: 6-SCH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
SCH2825-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |