SCS106AGC


SCSyyyAGC.pdf
Код товару: 155318
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SCS106AGC

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCS106AGC SCS106AGC Rohm Semiconductor SCSyyyAGC.pdf Description: DIODE SIL CARB 600V 6A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS106AGC SCS106AGC ROHM Semiconductor 2014E_SiC-522536.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Barrier Diode; 600V, 6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS106AGC SCSyyyAGC.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 600V 6A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS106AGC 2014E_SiC-522536.pdf
Виробник: ROHM Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Barrier Diode; 600V, 6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.