SCS108AGC Rohm Semiconductor


SCSyyyAGC.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 345pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCS108AGC Rohm Semiconductor

Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO220AC, Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Supplier Device Package: TO-220AC, Current - Average Rectified (Io): 8A, Capacitance @ Vr, F: 345pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2, Packaging: Tube.

Інші пропозиції SCS108AGC

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCS108AGC SCS108AGC ROHM Semiconductor 2014E_SiC-522536.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Barrier Diode; 600V, 8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS108AGC 2014E_SiC-522536.pdf
Виробник: ROHM Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Barrier Diode; 600V, 8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.