
SCS206AGHRC Rohm Semiconductor
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
44+ | 282.84 грн |
46+ | 270.68 грн |
50+ | 260.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS206AGHRC Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 219pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Grade: Automotive, Part Status: Obsolete, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 600 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SCS206AGHRC
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
SCS206AGHRC | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1413 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
![]() |
SCS206AGHRC | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
SCS206AGHRC | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 219pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Grade: Automotive Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |