SCS210AJHRTLL Rohm Semiconductor
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 36+ | 345.23 грн |
| 38+ | 330.39 грн |
| 50+ | 317.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS210AJHRTLL Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-263AB, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A, Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10, Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SCS210AJHRTLL за ціною від 247.02 грн до 655.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCS210AJHRTLL | Виробник : ROHM Semiconductor |
 SiC Schottky Diodes 650V 10A SiC SBD AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 874 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCS210AJHRTLL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-263AB Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SCS210AJHRTLL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
SCS210AJHRTLL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-263AB Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |