SCS210ANHRTRL ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCS210ANHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 11 nC, TO-263
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263
Kapazitive Gesamtladung: 11nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 328.60 грн |
| 10+ | 219.07 грн |
| 100+ | 157.05 грн |
| 500+ | 128.63 грн |
| 1000+ | 110.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS210ANHRTRL ROHM
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A LPDS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: LPDS, Operating Temperature - Junction: 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SCS210ANHRTRL за ціною від 120.81 грн до 358.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCS210ANHRTRL | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A LPDS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: LPDS Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SCS210ANHRTRL | ROHM Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V, 10A, SMD, Silicon-carbide (SiC) SBD for Automotive (3-pin package) |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| SCS210ANHRTRL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 347.16 грн |
| 10+ | 222.04 грн |
| 100+ | 169.49 грн |
| 500+ | 143.69 грн |
| SCS210ANHRTRL |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V, 10A, SMD, Silicon-carbide (SiC) SBD for Automotive (3-pin package)
SiC Schottky Diodes 650V, 10A, SMD, Silicon-carbide (SiC) SBD for Automotive (3-pin package)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 358.40 грн |
| 10+ | 235.79 грн |
| 100+ | 165.68 грн |
| 500+ | 147.04 грн |
| 1000+ | 120.81 грн |