SCS210KE2GC11 Rohm Semiconductor
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 622.51 грн |
| 25+ | 595.76 грн |
| 50+ | 573.07 грн |
| 100+ | 533.85 грн |
| 250+ | 479.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS210KE2GC11 Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SIC 1200V 5A TO-247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A (DC), Supplier Device Package: TO-247N, Operating Temperature - Junction: 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A, Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 5, Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції SCS210KE2GC11 за ціною від 328.48 грн до 851.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SCS210KE2GC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCS210KE2GC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ARRAY SIC 1200V 5A TO-247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A (DC) Supplier Device Package: TO-247N Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 5 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200 Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCS210KE2GC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 5A RDL SIC SKY |
на замовлення 518 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SCS210KE2GC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; 160W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 5A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Max. forward voltage: 1.9V Max. load current: 52A Max. forward impulse current: 170A Power dissipation: 160W Kind of package: tube Leakage current: 0.1mA |
товару немає в наявності |