SCS210KNHRTRL Rohm Semiconductor


scs210knhr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+541.49 грн
50+505.45 грн
100+470.34 грн
250+348.06 грн
500+304.05 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCS210KNHRTRL Rohm Semiconductor

Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 10A LPDS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 530pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: LPDS, Operating Temperature - Junction: 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SCS210KNHRTRL за ціною від 300.88 грн до 906.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SCS210KNHRTRL SCS210KNHRTRL Rohm Semiconductor scs210knhr-e.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 10A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 530pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+589.70 грн
10+386.09 грн
100+347.48 грн
500+300.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KNHRTRL SCS210KNHRTRL Rohm Semiconductor scs210knhr-e.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+906.36 грн
24+606.99 грн
50+529.20 грн
100+425.06 грн
200+376.74 грн
500+302.06 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KNHRTRL SCS210KNHRTRL ROHM Semiconductor scs210knhr-e.pdf SiC Schottky Diodes 1200V, 10A, SMD, Silicon-carbide (SiC) SBD for Automotive (3-pin package)
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KNHRTRL SCS210KNHRTRL ROHM 4316399.pdf Description: ROHM - SCS210KNHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 18 nC, TO-263
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KNHRTRL scs210knhr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 10A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 530pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+589.70 грн
10+386.09 грн
100+347.48 грн
500+300.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KNHRTRL scs210knhr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+906.36 грн
24+606.99 грн
50+529.20 грн
100+425.06 грн
200+376.74 грн
500+302.06 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KNHRTRL scs210knhr-e.pdf
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V, 10A, SMD, Silicon-carbide (SiC) SBD for Automotive (3-pin package)
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS210KNHRTRL 4316399.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCS210KNHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 18 nC, TO-263
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.