SCS210KNHRTRL Rohm Semiconductor
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 472.75 грн |
| 50+ | 441.28 грн |
| 100+ | 410.63 грн |
| 250+ | 303.87 грн |
| 500+ | 265.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS210KNHRTRL Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 10A LPDS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 530pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: LPDS, Operating Temperature - Junction: 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SCS210KNHRTRL за ціною від 263.72 грн до 791.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCS210KNHRTRL | Виробник : ROHM Semiconductor |
 SiC Schottky Diodes 1200V, 10A, SMD, Silicon-carbide (SiC) SBD for Automotive (3-pin package) |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCS210KNHRTRL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 10A LPDS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 530pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: LPDS Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCS210KNHRTRL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SCS210KNHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 18 nC, TO-263 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 Kapazitive Gesamtladung: 18nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SCS210KNHRTRL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SCS210KNHRTRL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 10A LPDS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 530pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: LPDS Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |