SCS212AGHRC Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorRectifier Diode Schottky 650V 12A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 29+ | 420.03 грн |
| 31+ | 401.99 грн |
| 50+ | 386.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS212AGHRC Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SCS212AGHRC за ціною від 256.48 грн до 500.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCS212AGHRC | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCS212AGHRC | Виробник : ROHM Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 12ASiC SBD AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 3576 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |