SCS212AGHRC Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 490.06 грн |
| 10+ | 404.07 грн |
| 100+ | 336.68 грн |
| 500+ | 278.78 грн |
| 1000+ | 250.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS212AGHRC Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC, Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Supplier Device Package: TO-220AC, Current - Average Rectified (Io): 12A, Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2, Packaging: Tube, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.
Інші пропозиції SCS212AGHRC
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SCS212AGHRC | ROHM Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 12ASiC SBD AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 3576 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SCS212AGHRC |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 12ASiC SBD AEC-Q101 Qualified
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 12ASiC SBD AEC-Q101 Qualified
на замовлення 3576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)