SCS212AGHRC Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 650V 12A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 29+ | 488.08 грн |
| 31+ | 467.11 грн |
| 50+ | 449.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS212AGHRC Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC, Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Supplier Device Package: TO-220AC, Current - Average Rectified (Io): 12A, Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2, Packaging: Tube, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.
Інші пропозиції SCS212AGHRC за ціною від 250.35 грн до 488.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCS212AGHRC | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Supplier Device Package: TO-220AC Current - Average Rectified (Io): 12A Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive |
на замовлення 1813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SCS212AGHRC | ROHM Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 12ASiC SBD AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 3576 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SCS212AGHRC |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 488.97 грн |
| 10+ | 403.18 грн |
| 100+ | 335.93 грн |
| 500+ | 278.17 грн |
| 1000+ | 250.35 грн |
| SCS212AGHRC |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 12ASiC SBD AEC-Q101 Qualified
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 12ASiC SBD AEC-Q101 Qualified
на замовлення 3576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)