SCS212AJHRTLL Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 31+ | 463.44 грн |
| 32+ | 443.52 грн |
| 50+ | 426.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS212AJHRTLL Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: TO-263AB, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Grade: Automotive, Part Status: Not For New Designs, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SCS212AJHRTLL за ціною від 483.77 грн до 585.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCS212AJHRTLL | Rohm Semiconductor |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263ABPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-263AB Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
SCS212AJHRTLL | ROHM Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 12A SiC SBD AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 260 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
 |
SCS212AJHRTLL | ROHM |
Description: ROHM - SCS212AJHRTLL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-263AB Kapazitive Gesamtladung: 18 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12 Anzahl der Pins: 3 Pins Bauform - Diode: TO-263AB Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Produktpalette: - SVHC: Lead (08-Jul-2021) |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
|
|
SCS212AJHRTLL | Rohm Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. |
| SCS212AJHRTLL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 585.83 грн |
| 10+ | 483.77 грн |
| SCS212AJHRTLL |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 12A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
SiC Schottky Diodes 650V 12A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SCS212AJHRTLL |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCS212AJHRTLL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-263AB
Kapazitive Gesamtladung: 18
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-263AB
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Description: ROHM - SCS212AJHRTLL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-263AB
Kapazitive Gesamtladung: 18
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-263AB
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SCS212AJHRTLL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)