SCS212AJTLL Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 77+ | 181.41 грн |
| 88+ | 159.08 грн |
| 100+ | 154.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS212AJTLL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SCS212AJTLL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-263AB, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263AB, Kapazitive Gesamtladung: 18nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SCS212AJTLL за ціною від 151.51 грн до 446.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SCS212AJTLL | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Rectifier Diode Schottky 650V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SCS212AJTLL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 650V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCS212AJTLL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-263AB Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V |
на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCS212AJTLL | Виробник : ROHM Semiconductor |
SiC Schottky Diodes SiC, SBD 650V 12A DPAK |
на замовлення 876 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCS212AJTLL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SCS212AJTLL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-263AB tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263AB Kapazitive Gesamtladung: 18nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SCS212AJTLL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-263AB Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |