
SCS212AJTLL Rohm Semiconductor
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
77+ | 158.23 грн |
88+ | 138.76 грн |
100+ | 134.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS212AJTLL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SCS212AJTLL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-263AB, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263AB, Kapazitive Gesamtladung: 18nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SCS212AJTLL за ціною від 132.15 грн до 310.85 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SCS212AJTLL | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263AB Kapazitive Gesamtladung: 18nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SCS212AJTLL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SCS212AJTLL | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 876 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SCS212AJTLL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SCS212AJTLL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-263AB Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V |
на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SCS212AJTLL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; TO263AB; SiC; SMD; 650V; 12A; reel,tape Case: TO263AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 170A Leakage current: 240µA Power dissipation: 88W Max. forward voltage: 1.63V Max. load current: 51A Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Load current: 12A Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
SCS212AJTLL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-263AB Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
SCS212AJTLL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; TO263AB; SiC; SMD; 650V; 12A; reel,tape Case: TO263AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 170A Leakage current: 240µA Power dissipation: 88W Max. forward voltage: 1.63V Max. load current: 51A Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Load current: 12A Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: single diode |
товару немає в наявності |