SCS212ANHRTRL Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 77+ | 193.43 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
77 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS212ANHRTRL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SCS212ANHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 12 A, 17 nC, TO-263, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263, Kapazitive Gesamtladung: 17nC, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції SCS212ANHRTRL за ціною від 158.26 грн до 508.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SCS212ANHRTRL | Rohm Semiconductor |
 Diode Schottky SiC 650V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SCS212ANHRTRL | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263L Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 440pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-263L Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SCS212ANHRTRL | ROHM Semiconductor |
SiC Schottky Diodes Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 650V, 12A, SMD, Silicon-carbide (SiC) SBD for Automotive |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SCS212ANHRTRL | Rohm Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SCS212ANHRTRL | ROHM |
Description: ROHM - SCS212ANHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 12 A, 17 nC, TO-263 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 Kapazitive Gesamtladung: 17nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SCS212ANHRTRL | ROHM |
Description: ROHM - SCS212ANHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 12 A, 17 nC, TO-263 tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kapazitive Gesamtladung: 17nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Periodische Spitzensperrspannung: 650V rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SCS212ANHRTRL | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 12A Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 12A Case: TO263-2 Max. forward voltage: 1.55V Max. load current: 12A Max. forward impulse current: 170A Leakage current: 240µA Capacitance: 440pF |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| SCS212ANHRTRL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Diode Schottky SiC 650V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101
Diode Schottky SiC 650V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 46+ | 322.85 грн |
| 48+ | 308.98 грн |
| 50+ | 297.21 грн |
| 100+ | 276.87 грн |
| SCS212ANHRTRL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 440pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 440pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 423.27 грн |
| 10+ | 272.01 грн |
| 50+ | 213.78 грн |
| 100+ | 183.03 грн |
| 500+ | 164.38 грн |
| SCS212ANHRTRL |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC Schottky Diodes Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 650V, 12A, SMD, Silicon-carbide (SiC) SBD for Automotive
SiC Schottky Diodes Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 650V, 12A, SMD, Silicon-carbide (SiC) SBD for Automotive
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 453.19 грн |
| 10+ | 235.11 грн |
| 100+ | 186.27 грн |
| 500+ | 167.34 грн |
| 1000+ | 158.26 грн |
| SCS212ANHRTRL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Diode Schottky SiC 650V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101
Diode Schottky SiC 650V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 508.62 грн |
| 10+ | 361.15 грн |
| 50+ | 295.34 грн |
| 100+ | 255.61 грн |
| SCS212ANHRTRL |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCS212ANHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 12 A, 17 nC, TO-263
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263
Kapazitive Gesamtladung: 17nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ROHM - SCS212ANHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 12 A, 17 nC, TO-263
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263
Kapazitive Gesamtladung: 17nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SCS212ANHRTRL |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCS212ANHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 12 A, 17 nC, TO-263
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kapazitive Gesamtladung: 17nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ROHM - SCS212ANHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 12 A, 17 nC, TO-263
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kapazitive Gesamtladung: 17nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SCS212ANHRTRL |
|
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 12A
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 12A
Case: TO263-2
Max. forward voltage: 1.55V
Max. load current: 12A
Max. forward impulse current: 170A
Leakage current: 240µA
Capacitance: 440pF
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 12A
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 12A
Case: TO263-2
Max. forward voltage: 1.55V
Max. load current: 12A
Max. forward impulse current: 170A
Leakage current: 240µA
Capacitance: 440pF
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 272.39 грн |
| 30+ | 212.77 грн |
| 50+ | 204.22 грн |
| 100+ | 198.24 грн |