SCS215AEGC11 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 34+ | 427.94 грн |
| 35+ | 409.56 грн |
| 50+ | 393.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS215AEGC11 Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 15A TO247, Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: 175°C, Supplier Device Package: TO-247, Current - Average Rectified (Io): 15A, Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції SCS215AEGC11 за ціною від 348.23 грн до 639.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SCS215AEGC11 | Rohm Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
SCS215AEGC11 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 15A TO247Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: 175°C Supplier Device Package: TO-247 Current - Average Rectified (Io): 15A Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
на замовлення 109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
SCS215AEGC11 | ROHM Semiconductor |
SiC Schottky Diodes RECT 650V 15A RDL SIC SKY |
на замовлення 504 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
SCS215AEGC11 | ROHM |
Description: ROHM - SCS215AEGC11 - SiC-Schottky-Diode, SCS21, Einfach, 650 V, 15 A, 23 nC, TO-247tariffCode: 85411000 productTraceability: No Kapazitive Gesamtladung: 23nC rohsCompliant: YES Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 Diodenmontage: Durchsteckmontage |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SCS215AEGC11 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Diode Schottky SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Diode Schottky SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 31+ | 456.36 грн |
| 50+ | 451.65 грн |
| 100+ | 384.70 грн |
| 200+ | 348.23 грн |
| SCS215AEGC11 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 15A TO247
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247
Current - Average Rectified (Io): 15A
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 15A TO247
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247
Current - Average Rectified (Io): 15A
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 639.30 грн |
| 30+ | 355.34 грн |
| SCS215AEGC11 |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC Schottky Diodes RECT 650V 15A RDL SIC SKY
SiC Schottky Diodes RECT 650V 15A RDL SIC SKY
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SCS215AEGC11 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCS215AEGC11 - SiC-Schottky-Diode, SCS21, Einfach, 650 V, 15 A, 23 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 23nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Description: ROHM - SCS215AEGC11 - SiC-Schottky-Diode, SCS21, Einfach, 650 V, 15 A, 23 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 23nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Durchsteckmontage
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





