SCS215AMC ROHM Semiconductor
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 558.80 грн |
| 10+ | 497.99 грн |
| 100+ | 358.48 грн |
| 500+ | 312.54 грн |
| 1000+ | 299.74 грн |
| 2000+ | 286.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS215AMC ROHM Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220FM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: TO-220FM, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V.
Інші пропозиції SCS215AMC
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SCS215AMC | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220FMPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-220FM Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |