SCS215ANTRL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: 650V, 15A, SMD, SILICON-CARBIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 186.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS215ANTRL Rohm Semiconductor
Description: 650V, 15A, SMD, SILICON-CARBIDE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 15A, Supplier Device Package: TO-263L, Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V.
Інші пропозиції SCS215ANTRL за ціною від 169.10 грн до 482.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCS215ANTRL | Виробник : ROHM Semiconductor |
SiC Schottky Diodes Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 650V, 15A, SMD, Silicon-carbide (SiC) SBD |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SCS215ANTRL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 650V, 15A, SMD, SILICON-CARBIDE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-263L Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|