SCS220AE2GC11 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 546.06 грн |
| 28+ | 522.59 грн |
| 50+ | 502.68 грн |
| 100+ | 468.28 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
27 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS220AE2GC11 Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC), Supplier Device Package: TO-247N, Operating Temperature - Junction: 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V.
Інші пропозиції SCS220AE2GC11 за ціною від 337.14 грн до 834.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SCS220AE2GC11 | Rohm Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
SCS220AE2GC11 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247NPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC) Supplier Device Package: TO-247N Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V |
на замовлення 363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
SCS220AE2GC11 | ROHM Semiconductor |
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 20A, 2nd Gen |
на замовлення 536 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||
|
SCS220AE2GC11 | Rohm Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SCS220AE2GC11 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 660.45 грн |
| 25+ | 632.55 грн |
| SCS220AE2GC11 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC)
Supplier Device Package: TO-247N
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC)
Supplier Device Package: TO-247N
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 747.41 грн |
| 10+ | 495.56 грн |
| SCS220AE2GC11 |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 20A, 2nd Gen
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 20A, 2nd Gen
на замовлення 536 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 794.34 грн |
| 10+ | 431.45 грн |
| 100+ | 347.38 грн |
| 450+ | 337.14 грн |
| SCS220AE2GC11 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 834.48 грн |
| 33+ | 435.65 грн |




