SCS220AE2GC11 Rohm Semiconductor
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 492.07 грн |
| 26+ | 470.93 грн |
| 50+ | 452.99 грн |
| 100+ | 421.99 грн |
| 250+ | 378.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS220AE2GC11 Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC SCHOT 650V TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC), Supplier Device Package: TO-247N, Operating Temperature - Junction: 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V.
Інші пропозиції SCS220AE2GC11 за ціною від 312.68 грн до 669.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SCS220AE2GC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SCS220AE2GC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SCS220AE2GC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ARR SIC SCHOT 650V TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC) Supplier Device Package: TO-247N Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V |
на замовлення 663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SCS220AE2GC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V, 20A, 3-pin THD, Silicon-carbide (SiC) SBD |
на замовлення 843 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SCS220AE2GC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; 160W; TO247-3 Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A x2 Max. load current: 91A Power dissipation: 160W Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 300A Max. forward voltage: 1.63V Leakage current: 0.2mA кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SCS220AE2GC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; 160W; TO247-3 Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A x2 Max. load current: 91A Power dissipation: 160W Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 300A Max. forward voltage: 1.63V Leakage current: 0.2mA |
товар відсутній |