SCS220AE2GC11 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 657.53 грн |
| 25+ | 629.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS220AE2GC11 Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247N, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: 175°C, Supplier Device Package: TO-247N, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC), Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції SCS220AE2GC11 за ціною від 320.32 грн до 830.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCS220AE2GC11 | Rohm Semiconductor |
 Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247NCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: 175°C Supplier Device Package: TO-247N Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
на замовлення 363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SCS220AE2GC11 | ROHM Semiconductor |
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 20A, 2nd Gen |
на замовлення 561 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SCS220AE2GC11 | Rohm Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SCS220AE2GC11 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247N
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247N
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247N
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247N
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 752.56 грн |
| 10+ | 498.98 грн |
| SCS220AE2GC11 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 20A, 2nd Gen
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 20A, 2nd Gen
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 759.49 грн |
| 10+ | 512.85 грн |
| 100+ | 345.86 грн |
| 450+ | 334.12 грн |
| 900+ | 320.32 грн |
| SCS220AE2GC11 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 830.79 грн |
| 33+ | 433.73 грн |