SCS220AE2GC11 Rohm Semiconductor
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 473.57 грн |
| 28+ | 453.22 грн |
| 50+ | 435.95 грн |
| 100+ | 406.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS220AE2GC11 Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC), Supplier Device Package: TO-247N, Operating Temperature - Junction: 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V.
Інші пропозиції SCS220AE2GC11 за ціною від 319.98 грн до 798.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCS220AE2GC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
 SiC Schottky Diodes SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 20A, 2nd Gen |
на замовлення 789 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SCS220AE2GC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC) Supplier Device Package: TO-247N Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V |
на замовлення 363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|