Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SCS220AE2GC11
SCS220AE2GC11

SCS220AE2GC11 Rohm Semiconductor

scs220ae2-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+533.12 грн
50+472.26 грн
100+443.86 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCS220AE2GC11 Rohm Semiconductor

Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC), Supplier Device Package: TO-247N, Operating Temperature - Junction: 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V.

Інші пропозиції SCS220AE2GC11 за ціною від 340.53 грн до 821.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SCS220AE2GC11 SCS220AE2GC11 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS220AE2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC)
Supplier Device Package: TO-247N
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+769.28 грн
10+510.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS220AE2GC11 SCS220AE2GC11 Виробник : Rohm Semiconductor scs220ae2-e.pdf Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+806.34 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SCS220AE2GC11 SCS220AE2GC11 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=SCS220AE2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC Schottky Diodes 650V, 20A, 3-pin THD, Silicon-carbide (SiC) SBD
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+821.98 грн
10+545.22 грн
450+340.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS220AE2GC11 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=SCS220AE2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 160W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.63V
Max. load current: 91A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Leakage current: 0.2mA
Power dissipation: 160W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS220AE2GC11 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=SCS220AE2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 160W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.63V
Max. load current: 91A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Leakage current: 0.2mA
Power dissipation: 160W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.