SCS220AEC Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 28+ | 506.13 грн |
| 32+ | 450.82 грн |
| 50+ | 427.98 грн |
| 100+ | 402.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS220AEC Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A TO247, Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Supplier Device Package: TO-247, Current - Average Rectified (Io): 20A, Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції SCS220AEC
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
SCS220AEC | ROHM Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers SiC, SBD 650V 20A TO-247 |
на замовлення 386 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SCS220AEC |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SiC, SBD 650V 20A TO-247
Schottky Diodes & Rectifiers SiC, SBD 650V 20A TO-247
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




