SCS220KE2C Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SIC 1200V 10A TO-247
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-247
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS220KE2C Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SIC 1200V 10A TO-247, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Supplier Device Package: TO-247, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC), Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції SCS220KE2C
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SCS220KE2C | ROHM Semiconductor |
SiC Schottky Diodes SiC SBD 20A 1200V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| SCS220KE2C |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC Schottky Diodes SiC SBD 20A 1200V
SiC Schottky Diodes SiC SBD 20A 1200V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.