SCS220KE2GC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC)
Supplier Device Package: TO-247N
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1146.18 грн |
| 30+ | 663.48 грн |
| 120+ | 585.49 грн |
| 510+ | 545.19 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS220KE2GC11 Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO-247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC), Supplier Device Package: TO-247N, Operating Temperature - Junction: 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції SCS220KE2GC11 за ціною від 598.22 грн до 1328.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SCS220KE2GC11 | ROHM Semiconductor |
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 20A, 2nd Gen |
на замовлення 560 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SCS220KE2GC11 | Rohm Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SCS220KE2GC11 | Rohm Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SCS220KE2GC11 |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 20A, 2nd Gen
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 20A, 2nd Gen
на замовлення 560 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1235.45 грн |
| 10+ | 693.00 грн |
| 100+ | 598.22 грн |
| SCS220KE2GC11 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 1323.70 грн |
| 12+ | 1279.05 грн |
| SCS220KE2GC11 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 1328.88 грн |
| 12+ | 1252.94 грн |
| 50+ | 853.33 грн |
| 100+ | 711.19 грн |
| 200+ | 644.10 грн |



