
SCS220KE2GC11 Rohm Semiconductor
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 1134.32 грн |
12+ | 1096.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS220KE2GC11 Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO-247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC), Supplier Device Package: TO-247N, Operating Temperature - Junction: 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції SCS220KE2GC11 за ціною від 551.95 грн до 1184.45 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SCS220KE2GC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
SCS220KE2GC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC) Supplier Device Package: TO-247N Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V |
на замовлення 756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
SCS220KE2GC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 644 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
SCS220KE2GC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 270W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Max. forward voltage: 1.9V Max. load current: 94A Max. forward impulse current: 0.32kA Leakage current: 0.2mA Power dissipation: 270W Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
SCS220KE2GC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 270W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Max. forward voltage: 1.9V Max. load current: 94A Max. forward impulse current: 0.32kA Leakage current: 0.2mA Power dissipation: 270W Kind of package: tube |
товару немає в наявності |