SCS220KGC Rohm Semiconductor
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 545.43 грн |
| 50+ | 528.10 грн |
| 100+ | 497.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS220KGC Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1060pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції SCS220KGC
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SCS220KGC | Виробник : ROHM Semiconductor |
 Schottky Diodes & Rectifiers DIODE: 20A 1200V |
на замовлення 566 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
SCS220KGC | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1060pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |