SCS230AE2GC11 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 26+ | 574.93 грн |
| 29+ | 512.54 грн |
| 50+ | 486.85 грн |
| 100+ | 456.49 грн |
| 200+ | 411.75 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
26 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS230AE2GC11 Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 15A TO-247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A (DC), Supplier Device Package: TO-247N, Operating Temperature - Junction: 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V.
Інші пропозиції SCS230AE2GC11 за ціною від 463.70 грн до 1135.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCS230AE2GC11 | Rohm Semiconductor |
 Description: DIODE ARRAY SIC 650V 15A TO-247NPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A (DC) Supplier Device Package: TO-247N Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V |
на замовлення 276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCS230AE2GC11 | ROHM Semiconductor |
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 30A, 2nd Gen |
на замовлення 484 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SCS230AE2GC11 | Rohm Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SCS230AE2GC11 | Rohm Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SCS230AE2GC11 | Rohm Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SCS230AE2GC11 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 15A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A (DC)
Supplier Device Package: TO-247N
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 15A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A (DC)
Supplier Device Package: TO-247N
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 954.25 грн |
| 10+ | 640.33 грн |
| 50+ | 521.36 грн |
| SCS230AE2GC11 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 30A, 2nd Gen
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 30A, 2nd Gen
на замовлення 484 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1023.02 грн |
| 10+ | 572.27 грн |
| 100+ | 463.70 грн |
| SCS230AE2GC11 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Diode Schottky SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Diode Schottky SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 1107.68 грн |
| SCS230AE2GC11 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Diode Schottky SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Diode Schottky SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 1107.68 грн |
| SCS230AE2GC11 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Diode Schottky SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Diode Schottky SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 1135.18 грн |
| 19+ | 798.54 грн |
| 50+ | 707.53 грн |
| 100+ | 640.74 грн |
| 200+ | 559.20 грн |
| 450+ | 485.67 грн |