SCS230AE2GC11 Rohm Semiconductor
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 26+ | 483.63 грн |
| 29+ | 431.15 грн |
| 50+ | 409.54 грн |
| 100+ | 384.00 грн |
| 200+ | 346.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS230AE2GC11 Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 15A TO-247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A (DC), Supplier Device Package: TO-247N, Operating Temperature - Junction: 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V.
Інші пропозиції SCS230AE2GC11 за ціною від 408.54 грн до 987.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SCS230AE2GC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Diode Schottky SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SCS230AE2GC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SCS230AE2GC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCS230AE2GC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V, 30A, 3-pin THD, Silicon-carbide (SiC) SBD |
на замовлення 501 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SCS230AE2GC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 15A TO-247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A (DC) Supplier Device Package: TO-247N Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V |
на замовлення 316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|