SCS230ANHRTRL ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - SCS230ANHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 30 A, 38 nC, TO-263
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263
Kapazitive Gesamtladung: 38nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 643.82 грн |
| 5+ | 597.71 грн |
| 10+ | 551.61 грн |
| 50+ | 469.40 грн |
| 100+ | 393.77 грн |
| 250+ | 377.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS230ANHRTRL ROHM
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 30A LPDS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1090pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: LPDS, Operating Temperature - Junction: 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 600 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SCS230ANHRTRL за ціною від 292.24 грн до 720.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCS230ANHRTRL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SCS230ANHRTRL | Виробник : ROHM Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V, 30A, SMD, Silicon-carbide (SiC) SBD for Automotive (3-pin package) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SCS230ANHRTRL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SCS230ANHRTRL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 30A LPDS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1090pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: LPDS Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SCS230ANHRTRL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 30A LPDS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1090pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: LPDS Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |