SCS240KE2GC11 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 1454.32 грн |
| 30+ | 1366.45 грн |
| 120+ | 1352.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS240KE2GC11 Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 20A TO-247N, Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: 175°C, Supplier Device Package: TO-247N, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A (DC), Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції SCS240KE2GC11 за ціною від 947.26 грн до 2273.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCS240KE2GC11 | Rohm Semiconductor |
 Description: DIODE ARR SIC 1200V 20A TO-247NCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: 175°C Supplier Device Package: TO-247N Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
SCS240KE2GC11 | ROHM Semiconductor |
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 40A, 2nd Gen |
на замовлення 1258 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
|
|
SCS240KE2GC11 | Rohm Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SCS240KE2GC11 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 20A TO-247N
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247N
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: DIODE ARR SIC 1200V 20A TO-247N
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247N
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1646.46 грн |
| 30+ | 1014.51 грн |
| 120+ | 947.26 грн |
| SCS240KE2GC11 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 40A, 2nd Gen
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 40A, 2nd Gen
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1724.36 грн |
| 10+ | 1160.67 грн |
| SCS240KE2GC11 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Diode Schottky SiC 1.2KV 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 2273.58 грн |
| 8+ | 1949.44 грн |
| 10+ | 1598.45 грн |