SCS302AJTLL ROHM Semiconductor
на замовлення 1833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 203.78 грн |
| 10+ | 167.11 грн |
| 100+ | 105.68 грн |
| 500+ | 86.60 грн |
| 1000+ | 77.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS302AJTLL ROHM Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 2.15A LPTL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2.15A, Supplier Device Package: LPTL, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2.15 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10.8 µA @ 650 V.
Інші пропозиції SCS302AJTLL за ціною від 105.18 грн до 248.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCS302AJTLL | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 2.15A LPTLPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2.15A Supplier Device Package: LPTL Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2.15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10.8 µA @ 650 V |
на замовлення 499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
SCS302AJTLL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 2.15A LPTL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2.15A Supplier Device Package: LPTL Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2.15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10.8 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |