SCS304AHGC9 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 77+ | 184.81 грн |
| 145+ | 98.06 грн |
| 160+ | 88.82 грн |
| 500+ | 83.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS304AHGC9 Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220ACP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: TO-220ACP, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V.
Інші пропозиції SCS304AHGC9 за ціною від 126.27 грн до 258.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SCS304AHGC9 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220ACPPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-220ACP Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V |
на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
SCS304AHGC9 | ROHM Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V;4A;34W SiC SBD TO-220ACP |
на замовлення 555 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
|
SCS304AHGC9 | ROHM |
Description: ROHM - SCS304AHGC9 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 11 nC, TO-220ACPKapazitive Gesamtladung: 11 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220ACP Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
|
SCS304AHGC9 | Rohm Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 35 шт В кошику од. на суму грн. |
| SCS304AHGC9 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220ACP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220ACP
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220ACP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220ACP
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 258.04 грн |
| 50+ | 126.27 грн |
| SCS304AHGC9 |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V;4A;34W SiC SBD TO-220ACP
SiC Schottky Diodes 650V;4A;34W SiC SBD TO-220ACP
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SCS304AHGC9 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCS304AHGC9 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 11 nC, TO-220ACP
Kapazitive Gesamtladung: 11
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220ACP
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - SCS304AHGC9 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 11 nC, TO-220ACP
Kapazitive Gesamtladung: 11
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220ACP
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SCS304AHGC9 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





