SCS304AHGC9 Rohm Semiconductor
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 77+ | 161.35 грн |
| 145+ | 85.61 грн |
| 160+ | 77.55 грн |
| 500+ | 72.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS304AHGC9 Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220ACP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: TO-220ACP, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V.
Інші пропозиції SCS304AHGC9 за ціною від 100.46 грн до 271.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCS304AHGC9 | Виробник : ROHM Semiconductor |
 SiC Schottky Diodes 650V;4A;34W SiC SBD TO-220ACP |
на замовлення 555 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
SCS304AHGC9 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220ACP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-220ACP Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V |
на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
SCS304AHGC9 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |