SCS304AJTLL Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 87+ | 163.12 грн |
| 104+ | 136.72 грн |
| 112+ | 127.29 грн |
| 500+ | 120.02 грн |
| 1000+ | 102.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS304AJTLL Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A LPTL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: LPTL, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V.
Інші пропозиції SCS304AJTLL за ціною від 103.61 грн до 273.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SCS304AJTLL | Rohm Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 4A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
SCS304AJTLL | Rohm Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 4A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R |
на замовлення 487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
SCS304AJTLL | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A LPTLPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: LPTL Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V |
на замовлення 964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
SCS304AJTLL | ROHM Semiconductor |
SiC Schottky Diodes SIC SBD 650V 4A 37W TO-263AB (LPTL) |
на замовлення 1555 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
SCS304AJTLL | ROHM |
Description: ROHM - SCS304AJTLL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 11 nC, TO-263ABKapazitive Gesamtladung: 11 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4 Anzahl der Pins: 3 Pins Bauform - Diode: TO-263AB Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Produktpalette: - SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 887 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SCS304AJTLL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 4A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 4A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 84+ | 169.10 грн |
| SCS304AJTLL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 4A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 4A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 69+ | 206.20 грн |
| 72+ | 198.34 грн |
| 100+ | 191.62 грн |
| 250+ | 179.16 грн |
| SCS304AJTLL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A LPTL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: LPTL
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A LPTL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: LPTL
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 273.54 грн |
| 10+ | 146.85 грн |
| 100+ | 118.38 грн |
| 500+ | 103.61 грн |
| SCS304AJTLL |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC Schottky Diodes SIC SBD 650V 4A 37W TO-263AB (LPTL)
SiC Schottky Diodes SIC SBD 650V 4A 37W TO-263AB (LPTL)
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SCS304AJTLL |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCS304AJTLL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 11 nC, TO-263AB
Kapazitive Gesamtladung: 11
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-263AB
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ROHM - SCS304AJTLL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 11 nC, TO-263AB
Kapazitive Gesamtladung: 11
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-263AB
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





