SCS304AMC7G Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 81+ | 174.65 грн |
| 85+ | 168.00 грн |
| 100+ | 162.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS304AMC7G Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SCS304AMC7G - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 11 nC, TO-220FM, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220FM, Kapazitive Gesamtladung: 11nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції SCS304AMC7G за ціною від 102.39 грн до 269.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SCS304AMC7G | Rohm Semiconductor |
 Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SCS304AMC7G | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220FM Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: 175°C Supplier Device Package: TO-220FM Current - Average Rectified (Io): 4A Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Full Pack Packaging: Tube |
на замовлення 937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SCS304AMC7G | ROHM Semiconductor |
SiC Schottky Diodes RECT 650V 4A RDL SIC SKY |
на замовлення 973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
SCS304AMC7G | ROHM |
Description: ROHM - SCS304AMC7G - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 11 nC, TO-220FM tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220FM Kapazitive Gesamtladung: 11nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SCS304AMC7G |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM
Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 62+ | 230.07 грн |
| 76+ | 187.64 грн |
| 100+ | 169.72 грн |
| SCS304AMC7G |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220FM
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-220FM
Current - Average Rectified (Io): 4A
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Packaging: Tube
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220FM
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-220FM
Current - Average Rectified (Io): 4A
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 269.67 грн |
| 50+ | 139.69 грн |
| 100+ | 120.41 грн |
| 500+ | 102.39 грн |
| SCS304AMC7G |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC Schottky Diodes RECT 650V 4A RDL SIC SKY
SiC Schottky Diodes RECT 650V 4A RDL SIC SKY
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SCS304AMC7G |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCS304AMC7G - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 11 nC, TO-220FM
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220FM
Kapazitive Gesamtladung: 11nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ROHM - SCS304AMC7G - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 11 nC, TO-220FM
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220FM
Kapazitive Gesamtladung: 11nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)