SCS304AMC7G ROHM Semiconductor
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 131-140 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 239.74 грн |
| 10+ | 199.18 грн |
| 100+ | 139.44 грн |
| 250+ | 132.10 грн |
| 500+ | 124.03 грн |
| 1000+ | 103.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS304AMC7G ROHM Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220FM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: TO-220FM, Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V.
Інші пропозиції SCS304AMC7G за ціною від 94.66 грн до 293.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCS304AMC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220FMPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-220FM Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|