SCS304AMC7G Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 81+ | 175.04 грн |
| 85+ | 168.37 грн |
| 100+ | 162.66 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
81 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS304AMC7G Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SCS304AMC7G - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 11 nC, TO-220FM, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220FM, Kapazitive Gesamtladung: 11nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції SCS304AMC7G за ціною від 102.62 грн до 270.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SCS304AMC7G | Rohm Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
SCS304AMC7G | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220FMPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-220FM Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V |
на замовлення 937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
SCS304AMC7G | ROHM Semiconductor |
SiC Schottky Diodes RECT 650V 4A RDL SIC SKY |
на замовлення 973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
SCS304AMC7G | ROHM |
Description: ROHM - SCS304AMC7G - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 11 nC, TO-220FMtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220FM Kapazitive Gesamtladung: 11nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SCS304AMC7G |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM
Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 62+ | 230.58 грн |
| 76+ | 188.06 грн |
| 100+ | 170.10 грн |
| SCS304AMC7G |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220FM
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220FM
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 270.27 грн |
| 50+ | 140.00 грн |
| 100+ | 120.68 грн |
| 500+ | 102.62 грн |
| SCS304AMC7G |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC Schottky Diodes RECT 650V 4A RDL SIC SKY
SiC Schottky Diodes RECT 650V 4A RDL SIC SKY
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SCS304AMC7G |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCS304AMC7G - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 11 nC, TO-220FM
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220FM
Kapazitive Gesamtladung: 11nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ROHM - SCS304AMC7G - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 11 nC, TO-220FM
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220FM
Kapazitive Gesamtladung: 11nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





