SCS304AMC7G Rohm Semiconductor
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 81+ | 150.30 грн |
| 85+ | 144.57 грн |
| 100+ | 139.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS304AMC7G Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SCS304AMC7G - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 11 nC, TO-220FM, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220FM, Kapazitive Gesamtladung: 11nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції SCS304AMC7G за ціною від 102.13 грн до 308.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SCS304AMC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220FM |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCS304AMC7G | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SCS304AMC7G - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 11 nC, TO-220FM tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220FM Kapazitive Gesamtladung: 11nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCS304AMC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220FM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-220FM Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V |
на замовлення 937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SCS304AMC7G | Виробник : ROHM Semiconductor |
SiC Schottky Diodes RECT SBD 650V 4A SIC |
на замовлення 973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|