SCS304APC9 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 103+ | 137.35 грн |
| 115+ | 123.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS304APC9 Rohm Semiconductor
Description: DIODE SILICON CARBIDE 650V 4A, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 4A, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V.
Інші пропозиції SCS304APC9
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SCS304APC9 | Rohm Semiconductor |
 Description: DIODE SILICON CARBIDE 650V 4APackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
SCS304APC9 | Rohm Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. |
| SCS304APC9 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SILICON CARBIDE 650V 4A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
Description: DIODE SILICON CARBIDE 650V 4A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SCS304APC9 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube
Rectifier Diode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)