
SCS306AHGC9 ROHM

Description: ROHM - SCS306AHGC9 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 19 nC, TO-220ACP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220ACP
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 123.29 грн |
10+ | 120.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS306AHGC9 ROHM
Description: ROHM - SCS306AHGC9 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 19 nC, TO-220ACP, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220ACP, Kapazitive Gesamtladung: 19nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SCS306AHGC9 за ціною від 165.48 грн до 306.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SCS306AHGC9 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
SCS306AHGC9 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
SCS306AHGC9 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220AC; Ir: 120uA Power dissipation: 46W Case: TO220AC Mounting: THT Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode Leakage current: 120µA Max. forward voltage: 1.71V Load current: 6A Max. load current: 28A Max. forward impulse current: 170A Max. off-state voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
SCS306AHGC9 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: TO-220ACP Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
SCS306AHGC9 | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
SCS306AHGC9 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220AC; Ir: 120uA Power dissipation: 46W Case: TO220AC Mounting: THT Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode Leakage current: 120µA Max. forward voltage: 1.71V Load current: 6A Max. load current: 28A Max. forward impulse current: 170A Max. off-state voltage: 650V |
товару немає в наявності |