SCS306AHGC9 Rohm Semiconductor
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 57+ | 226.13 грн |
| 59+ | 217.51 грн |
| 100+ | 210.13 грн |
| 250+ | 196.49 грн |
| 500+ | 176.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS306AHGC9 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SCS306AHGC9 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 19 nC, TO-220ACP, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220ACP, Kapazitive Gesamtladung: 19nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SCS306AHGC9 за ціною від 173.09 грн до 340.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SCS306AHGC9 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Rectifier Diode Schottky SiC 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube |
на замовлення 670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SCS306AHGC9 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SCS306AHGC9 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 19 nC, TO-220ACP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220ACP Kapazitive Gesamtladung: 19nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SCS306AHGC9 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220ACP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: TO-220ACP Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
SCS306AHGC9 | Виробник : ROHM Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V;6A;46W SiC SBD TO-220ACP |
товару немає в наявності |