SCS306AJTLL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A LPTL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: LPTL
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS306AJTLL Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A LPTL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: LPTL, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V.
Інші пропозиції SCS306AJTLL за ціною від 126.22 грн до 378.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SCS306AJTLL | Rohm Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 6A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SCS306AJTLL | Rohm Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 6A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SCS306AJTLL | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A LPTLPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: LPTL Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V |
на замовлення 1991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SCS306AJTLL | Rohm Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 6A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R |
на замовлення 1006 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SCS306AJTLL | ROHM Semiconductor |
SiC Schottky Diodes SIC SBD 650V 6A 50W TO-263AB (LPTL) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SCS306AJTLL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 6A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 6A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 56+ | 254.52 грн |
| 58+ | 244.82 грн |
| 100+ | 236.52 грн |
| 250+ | 221.15 грн |
| 500+ | 199.20 грн |
| 1000+ | 186.55 грн |
| SCS306AJTLL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 6A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 6A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 55+ | 260.58 грн |
| 61+ | 234.71 грн |
| 100+ | 203.58 грн |
| SCS306AJTLL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A LPTL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: LPTL
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A LPTL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: LPTL
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 344.06 грн |
| 10+ | 219.31 грн |
| 100+ | 155.63 грн |
| 500+ | 126.22 грн |
| SCS306AJTLL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 6A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 6A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 38+ | 378.10 грн |
| 55+ | 257.41 грн |
| 100+ | 232.90 грн |
| 500+ | 179.12 грн |
| 1000+ | 136.38 грн |
| SCS306AJTLL |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC Schottky Diodes SIC SBD 650V 6A 50W TO-263AB (LPTL)
SiC Schottky Diodes SIC SBD 650V 6A 50W TO-263AB (LPTL)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



