SCS308AHGC9 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - SCS308AHGC9 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 21 nC, TO-220ACP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220ACP
Kapazitive Gesamtladung: 21nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 238.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS308AHGC9 ROHM
Description: ROHM - SCS308AHGC9 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 21 nC, TO-220ACP, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220ACP, Kapazitive Gesamtladung: 21nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції SCS308AHGC9 за ціною від 159.18 грн до 398.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCS308AHGC9 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220AC; Ir: 160uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Max. forward voltage: 1.71V Max. forward impulse current: 250A Leakage current: 0.16mA Kind of package: tube Max. load current: 36A Power dissipation: 57W |
на замовлення 751 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SCS308AHGC9 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SCS308AHGC9 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220AC; Ir: 160uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Max. forward voltage: 1.71V Max. forward impulse current: 250A Leakage current: 0.16mA Kind of package: tube Max. load current: 36A Power dissipation: 57W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 751 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SCS308AHGC9 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACP Tube |
на замовлення 1183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SCS308AHGC9 | Виробник : ROHM Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V;8A;57W SiC SBD TO-220ACP |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SCS308AHGC9 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 400pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220ACP Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |