SCS308AHGC9 ROHM SEMICONDUCTOR
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220AC; Ir: 160uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.71V
Max. forward impulse current: 250A
Leakage current: 0.16mA
Kind of package: tube
Max. load current: 36A
Power dissipation: 57W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 249.67 грн |
| 5+ | 208.57 грн |
| 25+ | 184.47 грн |
| 100+ | 168.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCS308AHGC9 ROHM SEMICONDUCTOR
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 400pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220ACP, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.
Інші пропозиції SCS308AHGC9 за ціною від 144.97 грн до 363.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCS308AHGC9 | ROHM Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V;8A;57W SiC SBD TO-220ACP |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| SCS308AHGC9 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V;8A;57W SiC SBD TO-220ACP
SiC Schottky Diodes 650V;8A;57W SiC SBD TO-220ACP
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 363.23 грн |
| 10+ | 287.39 грн |
| 100+ | 202.96 грн |
| 500+ | 180.18 грн |
| 1000+ | 152.57 грн |
| 2000+ | 148.42 грн |
| 5000+ | 144.97 грн |